70T659S10BFI
70T659S10BFI
Modello di prodotti:
70T659S10BFI
fabbricante:
IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
88961 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
70T659S10BFI.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-70T659S10BFI
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:10ns
Tensione di alimentazione -:2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore:208-CABGA (15x15)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:208-LFBGA
Altri nomi:IDT70T659S10BFI
IDT70T659S10BFI-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:4.5Mb (128K x 36)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base:IDT70T659
Tempo di accesso:10ns
Email:[email protected]

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