2SJ665-DL-1EX
- Modello di prodotti:
- 2SJ665-DL-1EX
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 27A TO263
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 34790 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 2SJ665-DL-1EX.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-2SJ665-DL-1EX |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263-2 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 77 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 65W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 100V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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