2N5657G
2N5657G
Modello di prodotti:
2N5657G
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
41677 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
2N5657G.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-2N5657G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:10V @ 100mA, 500mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-225AA
Serie:-
Potenza - Max:20W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi:2N5657GOS
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:10MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 10MHz 20W Through Hole TO-225AA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 100mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):100µA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:2N5657
Email:[email protected]

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