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Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > 1N6110A
1N6110A
Modello di prodotti:
1N6110A
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
54179 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N6110A.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-1N6110A
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp:14.25V
Tensione - Innesco:1
Tensione - ripartizione (min):11.4V
Tensione - Ripartizione:Axial
Digitare:Zener
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Corrente di ondulazione - bassa frequenza:General Purpose
Protezione della linea di alimentazione:500W
Potenza - Pulsante di picco:23.8A
Polarizzazione:B, Axial
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:17 Weeks
codice articolo del costruttore:1N6110A
Descrizione:TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL
Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs):21V
Capacità @ Frequenza:-
Canali bidirezionali:No
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6110A

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6111A Semtech TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL Inchiesta
1N6110 Semtech TVS DIODE 11.4V 21.9V AXIAL Inchiesta
1N6110A Semtech TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL Inchiesta
1N6109AUS Semtech TVS DIODE 9.9V 18.2V Inchiesta
1N6110AUS Image 1N6110AUS Microsemi TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF Inchiesta
1N6109US Semtech TVS DIODE 9.9V 19V Inchiesta
1N6111US Image 1N6111US Microsemi TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF Inchiesta
1N6109 Semtech TVS DIODE 9.9V 19V AXIAL Inchiesta
1N6111AUS Image 1N6111AUS Microsemi TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF Inchiesta
1N6111AUS Semtech TVS DIODE 12.2V 22.3V Inchiesta
1N6109US Image 1N6109US Microsemi TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF Inchiesta
1N6110US Image 1N6110US Microsemi TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF Inchiesta
1N6109AUS Image 1N6109AUS Microsemi TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF Inchiesta
1N6109A Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL Inchiesta
1N6109 Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL Inchiesta
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