SIHG33N65E-GE3
- Nomor bagian:
- SIHG33N65E-GE3
- Pabrikan:
- Vishay / Siliconix
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- Status RoHS:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah dalam Stok:
- 89490 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Waktu produksi:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
pengantar
We can supply SIHG33N65E-GE3, use the request quote form to request SIHG33N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHG33N65E-GE3.The price and lead time for SIHG33N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHG33N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spesifikasi
| Nomor Bagian Internal | RO-SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| Kondisi | Original New |
| Negara Asal | Contact us |
| Penandaan Top | email us |
| Penggantian | See datasheet |
| Tegangan - Uji: | 4040pF @ 100V |
| Tegangan - Breakdown: | TO-247AC |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seri: | - |
| Status RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 32.4A (Tc) |
| Polarisasi: | TO-247-3 |
| Nama lain: | SIHG33N65E-GE3DKR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 20 Weeks |
| Nomor Bagian Produsen: | SIHG33N65E-GE3 |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 173nC @ 10V |
| IGBT Jenis: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| kapasitansi Ratio: | 313W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SIHG33N65E-GE3
Latest Berita
- Toshiba meluncurkan SmartMCD Seri Gate Driver IC dengan mikrokontroler tertanam
- ADI Deployment Sambanova Kit, Mempromosikan Formula AI Produksi untuk mencapai terobosan di tingkat perusahaan
- Honeywell dan Adi bergandengan tangan untuk mempromosikan inovasi dan perubahan otomatisasi bangunan
- Maxim mengumumkan peluncuran
- Maxim meluncurkan CAR DC-DC Converter MAX16984, mobil dengan enumer pengisian USB terintegrasi
- Renesas Electronics Meluncurkan IC Driver Listrik Pertama yang Dapat Diprogram Industri
- Renesas meluncurkan generasi pertama kernel CPU RISC-V 32-bit
- Vishay meluncurkan kopling cahaya rendah 10 MBD baru, serendah 5 mA, rentang tegangan adalah 2,7 V hingga 5,5 V
- Melexis meluncurkan solusi pengalihan cerdas baru untuk mengintegrasikan keamanan yang dapat diandalkan
- Toshiba telah mengembangkan modul MOSFET dual -carbide 2200V pertama di industri ini untuk membantu efisien dan miniaturisasi peralatan industri
- Era DDR5 semakin dekat, dan tantangan baru tidak dapat diabaikan
- Renesas membuka peta rute produk Soc dan MCU Processor Generation Next