NSVTB60BDW1T1G
- Cikkszám:
- NSVTB60BDW1T1G
- Gyártó:
- ON Semiconductor
- Leírás:
- TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
- RoHS-állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Mennyiség raktáron:
- 46763 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Termelési idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NSVTB60BDW1T1G.pdf
Bevezetés
We can supply NSVTB60BDW1T1G, use the request quote form to request NSVTB60BDW1T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVTB60BDW1T1G.The price and lead time for NSVTB60BDW1T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVTB60BDW1T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Műszaki adatok
| Belső rész száma | RO-NSVTB60BDW1T1G |
|---|---|
| Feltétel | Original New |
| Ország eredete | Contact us |
| Top jelölés | email us |
| Csere | See datasheet |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Tranzisztor típusú: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Szállító eszközcsomag: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| Ellenállás - emitteralap (R2): | 47 kOhms |
| Ellenállás - alap (R1): | 22 kOhms |
| Teljesítmény - Max: | 250mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 40 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | - |
| Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NSVTB60BDW1T1G-hoz
Latest News
- Az Onemi elindította a világ első útdíjcsomagolását 650 V -os szilícium -karbid MOSFET
- Az ON Semiconductor motoros fejlesztőkészlete elsősorban az energiahatékonyságra összpontosít
- Az ON Semiconductor szilícium fotomultikszorzója (SiPM) a közvetlen repülési idő (dToF) lidar platformja készen áll az ipari alkalmazásokhoz
- Az ON Semiconductor és a Theta Power Systems International partnerséget létesít a motorvezérlő alkalmazások terén
- Az ON Semiconductor kinevezi Hassane El-Khouryt utód vezérigazgatóvá (vezérigazgató)