Belső rész száma | RO-IPI50CN10NGHKSA1 |
---|---|
Feltétel | Original New |
Ország eredete | Contact us |
Top jelölés | email us |
Csere | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PG-TO262-3 |
Sorozat: | OptiMOS™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 44W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Más nevek: | IPI50CN10N G IPI50CN10N G-ND SP000208937 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1090pF @ 50V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Részletes leírás: | N-Channel 100V 20A (Tc) 44W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |