VND10BSP13TR - Διανομέας STMicroelectronics

VND10BSP13TR

Αριθμός εξαρτήματος:: VND10BSP13TR

Κατασκευαστής:: STMicroelectronics

Περιγραφή:: IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 78264 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: VND10BSP13TR.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply VND10BSP13TR, use the request quote form to request VND10BSP13TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number VND10BSP13TR.The price and lead time for VND10BSP13TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# VND10BSP13TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-VND10BSP13TR
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Προμήθεια (Vcc / Vdd):	Not Required
Τάση - Φορτίο:	6 V ~ 26 V
Τύπος Αλλαγής:	General Purpose
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	10-PowerSO
Σειρά:	-
Rds On (Τύπος):	100 mOhm (Max)
Λόγος - Είσοδος: Έξοδος:	1:1
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Τύπος εξόδου:	N-Channel
Διαμόρφωση εξόδου:	High Side
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Αριθμός Εξόδων:	2
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	3 (168 Hours)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
διασύνδεση:	On/Off
Τύπος εισόδου:	Non-Inverting
Χαρακτηριστικά:	Status Flag
Προστασία σφαλμάτων:	Open Load Detect, Over Temperature
Τρέχουσες - εξόδου (Max):	3.4A
Αριθμός μέρους βάσης:	VND10B
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για VND10BSP13TR

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
VND10B	STMicroelectronics	IC SSR HISIDE 2CH PENTAWATT VERT	Έρευνα
VND05BSP13TR	STMicroelectronics	IC SSR 26V HI-SIDE POWERSO-10	Έρευνα
VND10BSP	STMicroelectronics	IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10	Έρευνα
VND10N06	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 10A DPAK	Έρευνα
VND14NV04-1	STMicroelectronics	MOSFET POWER 40V 12A IPAK	Έρευνα
VND10N06TR-E	STMicroelectronics	MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK	Έρευνα
VND10B-11-E	STMicroelectronics	IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ	Έρευνα
VND10N06-1-E	STMicroelectronics	MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK	Έρευνα
VND14NV04	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 40V 12A DPAK	Έρευνα
VND10B(012Y)	STMicroelectronics	IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5	Έρευνα
VND10B-12-E	STMicroelectronics	IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT	Έρευνα
VND14NV04-1-E	STMicroelectronics	MOSFET OMNIFET 40V 12A IPAK	Έρευνα
VND10B-E	STMicroelectronics	IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT VRT	Έρευνα
VND10N0613TR	STMicroelectronics	MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK	Έρευνα
VND10B(011Y)	STMicroelectronics	IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5	Έρευνα
VND10N06-1	STMicroelectronics	MOSFET POWER 60V 10A IPAK	Έρευνα
VND10BSP-E	STMicroelectronics	IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10	Έρευνα
VND10BSPTR-E	STMicroelectronics	IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10	Έρευνα
VND10N06-E	STMicroelectronics	MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK	Έρευνα
VND05BSPTR-E	STMicroelectronics	IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις