VN10KN3-G-P013
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VN10KN3-G-P013
- Κατασκευαστής:
- Micrel / Microchip Technology
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 34291 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VN10KN3-G-P013.pdf
Εισαγωγή
We can supply VN10KN3-G-P013, use the request quote form to request VN10KN3-G-P013 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number VN10KN3-G-P013.The price and lead time for VN10KN3-G-P013 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# VN10KN3-G-P013.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-VN10KN3-G-P013 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-92-3 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 1W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 5 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 60V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 310mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VN10KN3-G-P013
Latest Ειδήσεις
- Η ADI συνεργάζεται με την BMW Group για να ξεκινήσει την κορυφαία τεχνολογία Ethernet Car της βιομηχανίας, ανοίγοντας ένα νέο κεφάλαιο στον ορισμό λογισμικού Automobiles
- Ο Vishay εγκαινιάζει το ποτενσιόμετρο του κουμπιού, απλοποιώντας τον σχεδιασμό και τη βελτιστοποίηση της βιομηχανικής και ηχητικής εφαρμογής
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού