TSM60NB041PW C1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TSM60NB041PW C1G
- Κατασκευαστής:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 50360 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- TSM60NB041PW C1G.pdf
Εισαγωγή
We can supply TSM60NB041PW C1G, use the request quote form to request TSM60NB041PW C1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TSM60NB041PW C1G.The price and lead time for TSM60NB041PW C1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TSM60NB041PW C1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-TSM60NB041PW C1G |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 21.7A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 446W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Αλλα ονόματα: | TSM60NB041PW C1G-ND TSM60NB041PWC1G |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 6120pF @ 100V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 139nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 600V 78A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 78A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TSM60NB041PW C1G
Latest Ειδήσεις
- Αρχή λειτουργίας πυκνωτή
- Ο Renesas είναι ο πρώτος που ξεκίνησε ένα Universal 32-bit RISC-V MCU με τον αυτο-αναπτυγμένο πυρήνα CPU
- Στον αισθητήρα εικόνας χαμηλής ισχύος του Anmei που βλέπει στο σύγχρονο οπτικό σύστημα
- Η ADI συνεργάζεται με την BMW Group για να ξεκινήσει την κορυφαία τεχνολογία Ethernet Car της βιομηχανίας, ανοίγοντας ένα νέο κεφάλαιο στον ορισμό λογισμικού Automobiles
- Ο Vishay εγκαινιάζει το ποτενσιόμετρο του κουμπιού, απλοποιώντας τον σχεδιασμό και τη βελτιστοποίηση της βιομηχανικής και ηχητικής εφαρμογής
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V