Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Κρύσταλλοι, ταλαντωτές, αντηχεία > Ταλαντωτές > TFETTCJANF-12.288000
TFETTCJANF-12.288000
TFETTCJANF-12.288000
Αριθμός εξαρτήματος:
TFETTCJANF-12.288000
Κατασκευαστής:
Taitien
Περιγραφή:
OSC TCXO 12.2880MHZ CMOS DIP
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
73140 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.TFETTCJANF-12.288000.pdf2.TFETTCJANF-12.288000.pdf3.TFETTCJANF-12.288000.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply TFETTCJANF-12.288000, use the request quote form to request TFETTCJANF-12.288000 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TFETTCJANF-12.288000.The price and lead time for TFETTCJANF-12.288000 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TFETTCJANF-12.288000.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-TFETTCJANF-12.288000
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Προμήθεια:3.3V
Τύπος:TCXO
Μέγεθος / Διαστάσεις:0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)
Σειρά:TF
Ακροαματικότητα:-
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:8-DIP, 4 Leads (Half Size, Metal Can)
Παραγωγή:CMOS
Θερμοκρασία λειτουργίας:-20°C ~ 70°C
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:5 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ύψος - Καθήμενοι (Max):0.307" (7.80mm)
Λειτουργία:-
Σταθερότητα συχνότητας:±4.6ppm
Συχνότητα:12.288MHz
Λεπτομερής περιγραφή:12.288MHz TCXO CMOS Oscillator 3.3V 8-DIP, 4 Leads (Half Size, Metal Can)
Τρέχουσες - Προμήθεια (Max):20mA
Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max):-
Βασικό συντονιστή:Crystal
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για TFETTCJANF-12.288000

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
TFEEJ6ST1440C C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 277V Έρευνα
TFETBLJANF-19.440000 Image TFETBLJANF-19.440000 Taitien OSC TCXO 19.4400MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFETBCJANF-10.000000 Image TFETBCJANF-10.000000 Taitien OSC TCXO 10.0000MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFETBEJANF-25.000000 Image TFETBEJANF-25.000000 Taitien OSC TCXO 25.0000MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFEEJ6VP004AC C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 277V Έρευνα
TFETBEJANF-20.000000 Image TFETBEJANF-20.000000 Taitien OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFEEV4VP005AC C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 21A 277V Έρευνα
TFEEJ6ST1640C Image TFEEJ6ST1640C C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 277V Έρευνα
TFETALJANF-20.000000 Image TFETALJANF-20.000000 Taitien OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFEEJ6ST1540C C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 277V Έρευνα
TFEEK6ST1440C C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 11A 277V Έρευνα
TFETBCJANF-25.000000 Image TFETBCJANF-25.000000 Taitien OSC TCXO 25.0000MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFEEV4VT155AC C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 21A 277V Έρευνα
TFEEV4SA105AC C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 21A 277V Έρευνα
TFETALSANF-40.000000 Image TFETALSANF-40.000000 Taitien OSC TCXO 40.0000MHZ CLP SNWV DIP Έρευνα
TFETBEJANF-16.384000 Image TFETBEJANF-16.384000 Taitien OSC TCXO 16.3840MHZ CMOS DIP Έρευνα
TFEEV4VP005AY C&K SWITCH SNAP ACT SPST-NO 21A 277V Έρευνα
TFEEJ6ST154AC C&K SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 277V Έρευνα
TFEEV3VP005AW C&K SWITCH SNAP ACT SPST-NC 11A 277V Έρευνα
TFEEV3SP005BY C&K SWITCH SNAP ACT SPST-NO 11A 277V Έρευνα

Latest Ειδήσεις