SUD06N10-225L-GE3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SUD06N10-225L-GE3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 58673 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SUD06N10-225L-GE3.pdf2.SUD06N10-225L-GE3.pdf
Εισαγωγή
We can supply SUD06N10-225L-GE3, use the request quote form to request SUD06N10-225L-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SUD06N10-225L-GE3.The price and lead time for SUD06N10-225L-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SUD06N10-225L-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-SUD06N10-225L-GE3 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-252AA |
| Σειρά: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 3A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Αλλα ονόματα: | SUD06N10-225L-GE3CT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 4nC @ 5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 100V 6.5A (Tc) 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Αριθμός μέρους βάσης: | SUD06N10 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SUD06N10-225L-GE3
Latest Ειδήσεις
- Αρχή λειτουργίας πυκνωτή
- Ο Renesas είναι ο πρώτος που ξεκίνησε ένα Universal 32-bit RISC-V MCU με τον αυτο-αναπτυγμένο πυρήνα CPU
- Στον αισθητήρα εικόνας χαμηλής ισχύος του Anmei που βλέπει στο σύγχρονο οπτικό σύστημα
- Η ADI συνεργάζεται με την BMW Group για να ξεκινήσει την κορυφαία τεχνολογία Ethernet Car της βιομηχανίας, ανοίγοντας ένα νέο κεφάλαιο στον ορισμό λογισμικού Automobiles
- Ο Vishay εγκαινιάζει το ποτενσιόμετρο του κουμπιού, απλοποιώντας τον σχεδιασμό και τη βελτιστοποίηση της βιομηχανικής και ηχητικής εφαρμογής
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V