SI8261BAA-C-ISR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SI8261BAA-C-ISR
- Κατασκευαστής:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Περιγραφή:
- DGTL ISO 1CH GATE DRIVER
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 55401 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SI8261BAA-C-ISR.pdf
Εισαγωγή
We can supply SI8261BAA-C-ISR, use the request quote form to request SI8261BAA-C-ISR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI8261BAA-C-ISR.The price and lead time for SI8261BAA-C-ISR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI8261BAA-C-ISR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-SI8261BAA-C-ISR |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - Προμήθεια: | 6.3 V ~ 30 V |
| Τάσης - Απομόνωση: | - |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Τύπος): | 2.8V (Max) |
| Τεχνολογία: | Capacitive Coupling |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q100 |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 5.5ns, 8.5ns |
| Παλμική παράλυση παραμόρφωσης (Max): | 10ns (Typ) |
| Καθυστέρηση διάδοσης tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός καναλιών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 1 Channel |
| Τρέχουσα - Μέγιστη παραγωγή: | 4A |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 500mA, 1.2A |
| Τρέχουσα - Συνεχής ροή DC (Αν) (Μέγιστη): | 30mA |
| Κοινή λειτουργία παροδική ανοσία (Min): | 35kV/µs |
| εγκρίσεις: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SI8261BAA-C-ISR
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map