SI7102DN-T1-E3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SI7102DN-T1-E3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 45967 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SI7102DN-T1-E3.pdf
Εισαγωγή
We can supply SI7102DN-T1-E3, use the request quote form to request SI7102DN-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7102DN-T1-E3.The price and lead time for SI7102DN-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7102DN-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-SI7102DN-T1-E3 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PowerPAK® 1212-8 |
| Σειρά: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | PowerPAK® 1212-8 |
| Αλλα ονόματα: | SI7102DN-T1-E3-ND SI7102DN-T1-E3TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 3720pF @ 6V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 110nC @ 8V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 12V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SI7102DN-T1-E3
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map