Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR
Αριθμός εξαρτήματος:
RW1A025APT2CR
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
35161 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RW1A025APT2CR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply RW1A025APT2CR, use the request quote form to request RW1A025APT2CR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RW1A025APT2CR.The price and lead time for RW1A025APT2CR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RW1A025APT2CR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-RW1A025APT2CR
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:6-WEMT
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):400mW (Ta)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-563, SOT-666
Αλλα ονόματα:RW1A025APT2CRTR
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:16nC @ 4.5V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):12V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 12V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για RW1A025APT2CR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
RW1S0BA1R00JT Image RW1S0BA1R00JT Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1S0BAR010FET Image RW1S0BAR010FET Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD Έρευνα
RW1C015UNT2R Image RW1C015UNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 Έρευνα
RW1C026ZPT2CR Image RW1C026ZPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 Έρευνα
RW1A020ZPT2R Image RW1A020ZPT2R LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 Έρευνα
RW1S0BA1R00J Image RW1S0BA1R00J Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1C025ZPT2CR Image RW1C025ZPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 Έρευνα
RW1S0BAR005JE Image RW1S0BAR005JE Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1S0BAR005J Image RW1S0BAR005J Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1E015RPT2R Image RW1E015RPT2R LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 Έρευνα
RW1A013ZPT2R Image RW1A013ZPT2R LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 Έρευνα
RW1A030APT2CR Image RW1A030APT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 Έρευνα
RW1S0BA1R00JE Image RW1S0BA1R00JE Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1S0BAR010FE Image RW1S0BAR010FE Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD Έρευνα
RW1S0BA1R00JET Image RW1S0BA1R00JET Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1E025RPT2CR Image RW1E025RPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 Έρευνα
RW1S0BAR005JET Image RW1S0BAR005JET Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD Έρευνα
RW1S0BAR010F Image RW1S0BAR010F Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD Έρευνα
RW1E014SNT2R Image RW1E014SNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 Έρευνα
RW1C020UNT2R Image RW1C020UNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 Έρευνα

Latest Ειδήσεις