Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RFD8P05
RFD8P05
RFD8P05
Αριθμός εξαρτήματος:
RFD8P05
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
47082 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RFD8P05.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply RFD8P05, use the request quote form to request RFD8P05 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RFD8P05.The price and lead time for RFD8P05 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RFD8P05.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-RFD8P05
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-251AA
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):48W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:80nC @ 20V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):50V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 50V 8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για RFD8P05

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
RFDA0025TR7 Image RFDA0025TR7 RFMD IC AMP DVGA 6BIT LSB 32-MCM Έρευνα
RFD77802 Image RFD77802 RF Digital SIMBLEE PROJECT KIT Έρευνα
RFD77402 Image RFD77402 RF Digital IOT 3D TOF SENSOR MODULE Έρευνα
RFD3055SM AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Έρευνα
RFD3055SM9A AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Έρευνα
RFD77101 Image RFD77101 RF Digital RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT Έρευνα
RFD4N06LSM9A AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 4A DPAK Έρευνα
RFD90105 Image RFD90105 RF Digital RFDUINO MASTER DEV KIT Έρευνα
RFD77803 Image RFD77803 RF Digital SIMBLEE DEVELOPMENT KIT Έρευνα
RFD77801 Image RFD77801 RF Digital SIMBLEE STARTER KIT Έρευνα
RFDA2015 Image RFDA2015 RFMD IC AMP LTE 500MHZ-2.5GHZ 32MCM Έρευνα
RFD90101 Image RFD90101 RF Digital RFDUINO TEASER KIT Έρευνα
RFD90102 Image RFD90102 RF Digital RFDUINO PROJECT DEV KIT Έρευνα
RFD77203 Image RFD77203 RF Digital SIMBLEE DIP 29GPIO ADAPTER Έρευνα
RFDA0045 Image RFDA0045 RFMD IC RF AMP GSM 10MHZ-850MHZ 32MCM Έρευνα
RFDA0016TR7 Image RFDA0016TR7 RFMD IC AMP CELLULAR 50MHZ-1GHZ 28MCM Έρευνα
RFD8P05SM AMI Semiconductor / ON Semiconductor MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA Έρευνα
RFD90103 Image RFD90103 RF Digital RFDUINO EXPERIMENTERS DEV KIT Έρευνα
RFD77201 Image RFD77201 RF Digital RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT Έρευνα
RFD90104 Image RFD90104 RF Digital RFDUINO MULTI PROJECT DEV KIT Έρευνα

Latest Ειδήσεις