R6015ANZC8 - Διανομέας LAPIS Semiconductor

R6015ANZC8

Αριθμός εξαρτήματος:: R6015ANZC8

Κατασκευαστής:: LAPIS Semiconductor

Περιγραφή:: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 87034 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: R6015ANZC8.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply R6015ANZC8, use the request quote form to request R6015ANZC8 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6015ANZC8.The price and lead time for R6015ANZC8 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6015ANZC8.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-R6015ANZC8
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:	4.15V @ 1mA
Vgs (Max):	±30V
Τεχνολογία:	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	TO-3PF
Σειρά:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	300 mOhm @ 7.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):	110W (Tc)
Συσκευασία:	Tube
Συσκευασία / υπόθεση:	TO-3P-3 Full Pack
Θερμοκρασία λειτουργίας:	150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	1700pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	50nC @ 10V
FET Τύπος:	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	600V
Λεπτομερής περιγραφή:	N-Channel 600V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	15A (Tc)
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για R6015ANZC8

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
R6015ANJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Έρευνα
R6015KNX	LAPIS Semiconductor	NCH 600V 15A POWER MOSFET	Έρευνα
R6015FNJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A LPT	Έρευνα
R60200-1CR	Bussmann (Eaton)	FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS	Έρευνα
R6018ANJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Έρευνα
R6012030XXYA	Powerex, Inc.	DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205	Έρευνα
R6015ENZC8	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF	Έρευνα
R6012FNJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A LPT	Έρευνα
R6012ANJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Έρευνα
R6012425XXYA	Powerex, Inc.	DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205	Έρευνα
R6015ENX	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A TO220	Έρευνα
R6012225XXYA	Powerex, Inc.	DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205	Έρευνα
R6015ANX	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM	Έρευνα
R6012625XXYA	Powerex, Inc.	DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205	Έρευνα
R6015FNX	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM	Έρευνα
R6015KNJTL	LAPIS Semiconductor	NCH 600V 15A POWER MOSFET	Έρευνα
R6012FNX	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM	Έρευνα
R6012ANX	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM	Έρευνα
R6015ENJTL	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 15A LPT	Έρευνα
R6015KNZC8	LAPIS Semiconductor	MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις