Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6007ENX
R6007ENX
R6007ENX
Αριθμός εξαρτήματος:
R6007ENX
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
67568 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6007ENX.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply R6007ENX, use the request quote form to request R6007ENX pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6007ENX.The price and lead time for R6007ENX depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6007ENX.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-R6007ENX
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220FM
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 2.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):40W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3 Full Pack
Αλλα ονόματα:R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:17 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:20nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6007ENX

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6009ENJTL Image R6009ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A LPT Έρευνα
R60060-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Έρευνα
R6009KNX Image R6009KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Έρευνα
R60100-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Έρευνα
R60060-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R6009ENX Image R6009ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Έρευνα
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 Έρευνα
R6008FNX Image R6008FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Έρευνα
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT Έρευνα
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM Έρευνα
R60060-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R6009KNJTL Image R6009KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 Έρευνα
R60060-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R6008FNJTL Image R6008FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A LPTS Έρευνα
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM Έρευνα
R6006ANDTL Image R6006ANDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A CPT Έρευνα
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Έρευνα
R6008ANX Image R6008ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Έρευνα

Latest Ειδήσεις