NE85633-T1B
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NE85633-T1B
- Κατασκευαστής:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 1GHZ SOT-23
- Κατάσταση RoHS:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 73922 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NE85633-T1B.pdf
Εισαγωγή
We can supply NE85633-T1B, use the request quote form to request NE85633-T1B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NE85633-T1B.The price and lead time for NE85633-T1B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NE85633-T1B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-NE85633-T1B |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 12V |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 200mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 2SC3356 NE85633-T1BTR NE85633-TR NE85633TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| Θόρυβος Σχήμα (dB Τύπος @ στ): | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Κέρδος: | 9dB |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 7GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 20mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | NE85633 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NE85633-T1B
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map