Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - RF > NE25139-T1-U73
NE25139-T1-U73
Αριθμός εξαρτήματος:
NE25139-T1-U73
Κατασκευαστής:
CEL (California Eastern Laboratories)
Περιγραφή:
FET RF 13V 900MHZ SOT-143
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
53336 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
NE25139-T1-U73.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply NE25139-T1-U73, use the request quote form to request NE25139-T1-U73 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NE25139-T1-U73.The price and lead time for NE25139-T1-U73 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NE25139-T1-U73.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-NE25139-T1-U73
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Test:5V
Τάση - Ονομαστική:13V
transistor Τύπος:MESFET Dual Gate
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-143
Σειρά:-
Ισχύς - εξόδου:-
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-253-4, TO-253AA
Αλλα ονόματα:NE25139-U73-T1
NE25139U73
NE25139U73-E1
NE25139U73-ND
NE25139U73TR
Q805260
Θόρυβος Εικόνα:1.1dB
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Κέρδος:20dB
Συχνότητα:900MHz
Λεπτομερής περιγραφή:RF Mosfet MESFET Dual Gate 5V 10mA 900MHz 20dB SOT-143
τρέχουσα Αξιολόγηση:40mA
Τρέχουσες - Test:10mA
Αριθμός μέρους βάσης:NE251
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για NE25139-T1-U73

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
NE2D_BW_V90F2.7_NB2M Image NE2D_BW_V90F2.7_NB2M ams IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE Έρευνα
NE2D_CHIP_RGB_SGA ams NANEYE 2D SENSOR Έρευνα
NE2D_B&W_FOV90_F4.0 ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE2D_B&W_FOV160_F2.4 ams NE2D_B&W_FOV160_F2.4_2M FT SE Έρευνα
NE2D_B&W_V90F6.0_SGA ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE2D_B&W_80UMAPERTUR Image NE2D_B&W_80UMAPERTUR ams NE2D_B&W_80UMAPERTURE FT SE Έρευνα
NE2D_B&W_V90F6.0_3M Image NE2D_B&W_V90F6.0_3M ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3M CABLE Έρευνα
NE202930-T1-A Image NE202930-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) RF TRANSISTOR NPN SOT-323 Έρευνα
NE2D_CHIP_B&W_SGA ams NANEYE 2D SENSOR Έρευνα
NE2D_B&W_V160F2.4_SG ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE2D_FIB_RGB_FOV90 ams NE_FIBER_OPTIC_BOX_DEMO_ENDOSCOP Έρευνα
NE2D_B&W_V90F2.7_2M ams IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE Έρευνα
NE2D_B&W_V120F2.8_2M ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE25139-T1 CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 13V 900MHZ SOT-143 Έρευνα
NE2D_B&W_V120F2.8_SG ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE2D_B&W_V90F2.7_SGA ams IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM Έρευνα
NE2D_RGB_F2.8_FOV120 Image NE2D_RGB_F2.8_FOV120 ams IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE Έρευνα
NE2D_B&W_V90F4.0_SGA ams IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE Έρευνα
NE2D_RGB_F6.0_CLS2M ams NE2D_RGB_FOV90_F6.0 CLOSERF FT S Έρευνα
NE202930-A Image NE202930-A CEL (California Eastern Laboratories) RF TRANSISTOR NPN SOT-323 Έρευνα

Latest Ειδήσεις