MT40A2G4WE-075E:B
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MT40A2G4WE-075E:B
- Κατασκευαστής:
- Micron Technology
- Περιγραφή:
- IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 53487 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MT40A2G4WE-075E:B.pdf
Εισαγωγή
We can supply MT40A2G4WE-075E:B, use the request quote form to request MT40A2G4WE-075E:B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MT40A2G4WE-075E:B.The price and lead time for MT40A2G4WE-075E:B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MT40A2G4WE-075E:B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-MT40A2G4WE-075E:B |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | - |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Τεχνολογία: | SDRAM - DDR4 |
| Σειρά: | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Τύπος μνήμης: | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 8Gb (2G x 4) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | DRAM |
| Λεπτομερής περιγραφή: | SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.33GHz |
| Συχνότητα ρολογιού: | 1.33GHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MT40A2G4WE-075E:B
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map