Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N3600
JAN1N3600
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N3600
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
70004 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N3600.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply JAN1N3600, use the request quote form to request JAN1N3600 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N3600.The price and lead time for JAN1N3600 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N3600.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-JAN1N3600
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:200mA (DC)
Τάσης - Ανάλυση:DO-7
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/231
Κατάσταση RoHS:Bulk
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:DO-204AA, DO-7, Axial
Άλλα ονόματα:1086-16797
1086-16797-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:4ns
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:10 Weeks
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:JAN1N3600
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7
Διαμόρφωση δίοδος:100nA @ 50V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1V @ 200mA
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):50V
Χωρητικότητα @ VR, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N3600

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N3646 Microsemi DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL Έρευνα
JAN1N3338B Image JAN1N3338B Microsemi DIODE ZENER 82V 50W DO203AB Έρευνα
JAN1N3339B Microsemi DIODE ZENER 50W DO-203AB Έρευνα
JAN1N3671A Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Έρευνα
JAN1N3613 Image JAN1N3613 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N3330B Microsemi DIODE ZENER 47V 50W DO5 Έρευνα
JAN1N3612 Image JAN1N3612 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N3595UR-1 Microsemi DIODE GP 125V 150MA DO213AA Έρευνα
JAN1N3595AUS Microsemi DIODE GEN PURP 125V 150MA Έρευνα
JAN1N3595-1 Image JAN1N3595-1 Microsemi Corporation DIODE SW 125V 150MA DO35 Έρευνα
JAN1N3647 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL Έρευνα
JAN1N3595A-1 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 Έρευνα
JAN1N3644 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL Έρευνα
JAN1N3326B Microsemi DIODE ZENER 36V 50W DO5 Έρευνα
JAN1N3595AUR-1 Microsemi DIODE GP 125V 150MA DO213AA Έρευνα
JAN1N3614 Image JAN1N3614 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N3671AR Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Έρευνα
JAN1N3325B Microsemi DIODE ZENER 33V 50W DO5 Έρευνα
JAN1N3611 Image JAN1N3611 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N3645 Microsemi DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις