Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTV102N20T
IXTV102N20T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTV102N20T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
79092 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTV102N20T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IXTV102N20T, use the request quote form to request IXTV102N20T pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTV102N20T.The price and lead time for IXTV102N20T depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTV102N20T.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IXTV102N20T
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PLUS220
Σειρά:TrenchHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):750W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3, Short Tab
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:114nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):200V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 200V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PLUS220
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:102A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTV102N20T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTU50N085T Image IXTU50N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 Έρευνα
IXTU44N10T Image IXTU44N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 44A TO-251 Έρευνα
IXTV200N10TS Image IXTV200N10TS IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD Έρευνα
IXTV120N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 Έρευνα
IXTV18N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 Έρευνα
IXTU1R4N60P Image IXTU1R4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 Έρευνα
IXTU5N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 Έρευνα
IXTU64N055T Image IXTU64N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 Έρευνα
IXTV200N10T Image IXTV200N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 Έρευνα
IXTU8N70X2 Image IXTU8N70X2 IXYS Corporation MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Έρευνα
IXTV03N400S IXYS Corporation MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 Έρευνα
IXTV102N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 Έρευνα
IXTV22N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 Έρευνα
IXTV110N25TS Image IXTV110N25TS IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD Έρευνα
IXTV130N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 Έρευνα
IXTU2N80P Image IXTU2N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH TO-251 Έρευνα
IXTV22N50PS IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD Έρευνα
IXTV02N250S IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 Έρευνα
IXTV18N60PS IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD Έρευνα
IXTU55N075T Image IXTU55N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 55A TO-251 Έρευνα

Latest Ειδήσεις