Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - ενότητες > IXBN75N170
IXBN75N170
Αριθμός εξαρτήματος:
IXBN75N170
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
78705 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXBN75N170.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IXBN75N170, use the request quote form to request IXBN75N170 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXBN75N170.The price and lead time for IXBN75N170 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXBN75N170.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IXBN75N170
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):1700V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.1V @ 15V, 75A
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-227B
Σειρά:BIMOSFET™
Ισχύς - Max:625W
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC θερμίστορ:No
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce:6.93nF @ 25V
Εισαγωγή:Standard
IGBT Τύπος:-
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT Module Single 1700V 145A 625W Chassis Mount SOT-227B
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):25µA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):145A
Διαμόρφωση:Single
Αριθμός μέρους βάσης:IXB*75N170
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXBN75N170

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXBH6N170 Image IXBH6N170 IXYS Corporation IGBT 1700V 12A 75W TO247AD Έρευνα
IXBH5N160G Image IXBH5N160G IXYS Corporation IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD Έρευνα
IXBOD1-07 IXYS Corporation IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP Έρευνα
IXBOD1-13R IXYS Corporation IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1300V Έρευνα
IXBK75N170 Image IXBK75N170 IXYS Corporation IGBT 1700V 200A 1040W TO264 Έρευνα
IXBOD1-12RD IXYS Corporation IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1200V Έρευνα
IXBOD1-13RD IXYS Corporation IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1300V Έρευνα
IXBL64N250 IXYS Corporation IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5 Έρευνα
IXBOD1-09 Image IXBOD1-09 IXYS Corporation IC SGL DIODE BOD 0.9A 900V FP Έρευνα
IXBOD1-06 IXYS Corporation IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP Έρευνα
IXBL20N300C IXYS Corporation IGBT 3000V Έρευνα
IXBK75N170A Image IXBK75N170A IXYS Corporation IGBT 1700V 110A 1040W TO264 Έρευνα
IXBH9N160G Image IXBH9N160G IXYS Corporation IGBT 1600V 9A 100W TO247AD Έρευνα
IXBL60N360 Image IXBL60N360 IXYS Corporation IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK Έρευνα
IXBOD1-10 Image IXBOD1-10 IXYS Corporation IC SGL DIODE BOD 0.9A 1000V FP Έρευνα
IXBN75N170A IXYS Corporation IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 Έρευνα
IXBOD1-12R IXYS Corporation IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1200V Έρευνα
IXBOD1-08 Image IXBOD1-08 IXYS Corporation IC SGL DIODE BOD 0.9A 800V FP Έρευνα
IXBN42N170A IXYS Corporation IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 Έρευνα
IXBK55N300 Image IXBK55N300 IXYS Corporation IGBT 3000V 130A 625W TO264 Έρευνα

Latest Ειδήσεις