Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > IMB1AT110
IMB1AT110
IMB1AT110
Αριθμός εξαρτήματος:
IMB1AT110
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
50825 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IMB1AT110.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IMB1AT110, use the request quote form to request IMB1AT110 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IMB1AT110.The price and lead time for IMB1AT110 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IMB1AT110.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IMB1AT110
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistor Τύπος:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SMT6
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):22 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):22 kOhms
Ισχύς - Max:300mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-74, SOT-457
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:-
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Αριθμός μέρους βάσης:MB1
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IMB1AT110

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IMB22652M8 Crouzet IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 Έρευνα
IMB18-12NPOVU2S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC 2M Έρευνα
IMB18-12NPPVC0K SICK NONFLSH PNP COMP M12 SHRT Έρευνα
IMB22651C Crouzet IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMB226515C Crouzet IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR Έρευνα
IMB226515M8 Crouzet IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 Έρευνα
IMB22653C Crouzet IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMB22651M12 Crouzet IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMB22652M12 Crouzet IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMB18-12NPSVU2S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M Έρευνα
IMB18-12NPSVC0S Image IMB18-12NPSVC0S SICK SENSOR PROX PNP-NO 12MM M18 Έρευνα
IMB1805T Image IMB1805T Crouzet M18 ANALOG PROXIMITY 2.0 METER Έρευνα
IMB226515M12 Crouzet IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMB18-12NPSVC0K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO M12 SHRT Έρευνα
IMB18-12NPOVU2K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC 2M SHRT Έρευνα
IMB22652C Crouzet IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMB1805C5 Crouzet M18 ANALOG PROXIMITY M12 Έρευνα
IMB18-12NPSVU2K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT Έρευνα
IMB18-12NPPVC0S SICK SEN PROX NON-FLSH PNP COMP M12 Έρευνα
IMB22651M8 Crouzet IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8 Έρευνα

Latest Ειδήσεις