Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > IMB10AT110
IMB10AT110
IMB10AT110
Αριθμός εξαρτήματος:
IMB10AT110
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
83840 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.IMB10AT110.pdf2.IMB10AT110.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IMB10AT110, use the request quote form to request IMB10AT110 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IMB10AT110.The price and lead time for IMB10AT110 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IMB10AT110.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IMB10AT110
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SMT6
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):47 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):2.2 kOhms
Ισχύς - Max:300mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-74, SOT-457
Αλλα ονόματα:IMB10AT110TR
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:10 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:250MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Αριθμός μέρους βάσης:MB10
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IMB10AT110

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IMB12-04BDSVU2S SICK SEN PROX FLSH 2 WIRE NO 2M CAB Έρευνα
IMB12-04BDSVU2K SICK SEN PROX FLSH 2 WIRE NO 2M SHRT Έρευνα
IMB08-04NPOVT0S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC M8 Έρευνα
IMB12-04BNOVU2K SICK SEN PROX SHLD NPN NC 2M SHRT Έρευνα
IMB08-04NPPVC0S SICK SEN PROX NON-FLSH PNP COMP M12 Έρευνα
IMB08-04NPOVU2S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC 2M Έρευνα
IMB08-04NPOVU2K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC 2M SHRT Έρευνα
IMB08-04NPSVT0K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO M8 SHRT Έρευνα
IMB08-04NPOVT0K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NC M8 SHRT Έρευνα
IMB08-04NPSVU2S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M Έρευνα
IMB08-04NPSVT0S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO M8 Έρευνα
IMB12-04BNOVU2S SICK SEN PROX SHLD NPN NC 2M Έρευνα
IMB08-04NPSVU2K SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT Έρευνα
IMB12-04BNOVC0K SICK SEN PROX SHLD NPN NC M12 SHRT Έρευνα
IMB11AT110 Image IMB11AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Έρευνα
IMB12-04BNPVC0S SICK SEN PROX FLSH NPN COMP M12 Έρευνα
IMB08-04NPSVC0S SICK SEN PROX UNSHLD PNP NO M12 Έρευνα
IMB12-04BDSVC0S SICK SEN PROX FLSH 2 WIRE NO M12 Έρευνα
IMB12-04BNOVC0S SICK SEN PROX SHLD NPN NC M12 Έρευνα
IMB12-04BNPVC0K SICK SEN PROX FLSH NPN COMP M12 SHRT Έρευνα

Latest Ειδήσεις