FQD8P10TM_F080
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FQD8P10TM_F080
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 48931 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FQD8P10TM_F080.pdf
Εισαγωγή
We can supply FQD8P10TM_F080, use the request quote form to request FQD8P10TM_F080 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQD8P10TM_F080.The price and lead time for FQD8P10TM_F080 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQD8P10TM_F080.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-FQD8P10TM_F080 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-Pak |
| Σειρά: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 100V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 6.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FQD8P10TM_F080
Latest Ειδήσεις
- Ο Onsemi ξεκίνησε την πρώτη συσκευασία διοδίων στον κόσμο 650 V silicon carbide mosfet
- Το κιτ ανάπτυξης κινητήρα ON Semiconductor επικεντρώνεται πρώτα στην ενεργειακή απόδοση
- Η πλατφόρμα άμεσης ώρας πτήσης (dToF) ON Semiconductor's silom photomultiplier (SiPM) παρέχει έτοιμα σχέδια για βιομηχανικές εφαρμογές
- Η ON Semiconductor και η Theta Power Systems International καθιερώνουν συνεργασία για εφαρμογές ελέγχου κινητήρα
- Η ON Semiconductor διορίζει τον Hassane El-Khoury ως διάδοχο CEO (CEO)