Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > EPC2025
EPC2025
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2025
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
61175 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2025.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2025, use the request quote form to request EPC2025 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2025.The price and lead time for EPC2025 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2025.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2025
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:Die
Σειρά:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max):-
Συσκευασία:Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:Die
Αλλα ονόματα:917-1125-6
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:194pF @ 240V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):300V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2025

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Έρευνα
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Έρευνα
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Έρευνα
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Έρευνα
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Έρευνα
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Έρευνα
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα

Latest Ειδήσεις