EMB61T2R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- EMB61T2R
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 44520 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.EMB61T2R.pdf2.EMB61T2R.pdf
Εισαγωγή
We can supply EMB61T2R, use the request quote form to request EMB61T2R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EMB61T2R.The price and lead time for EMB61T2R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EMB61T2R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-EMB61T2R |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 5mA |
| transistor Τύπος: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | EMT6 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 10 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 150mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-563, SOT-666 |
| Αλλα ονόματα: | EMB61T2RTR |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για EMB61T2R
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map