DMG964H10R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DMG964H10R
- Κατασκευαστής:
- Panasonic
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 55780 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DMG964H10R.pdf
Εισαγωγή
We can supply DMG964H10R, use the request quote form to request DMG964H10R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMG964H10R.The price and lead time for DMG964H10R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMG964H10R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-DMG964H10R |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
| transistor Τύπος: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SSMini6-F3-B |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 47 kOhms, 4.7 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 125mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-563, SOT-666 |
| Αλλα ονόματα: | DMG964H10R-ND DMG964H10RTR |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | DMG964 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DMG964H10R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG964040R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG964H50R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG964020R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
 |
DMG963HD0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | Έρευνα |
 |
DMG9926USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L | Έρευνα |
|
DMG963HE0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | Έρευνα |
|
DMG9640T0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMGD7N45SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO | Έρευνα |
|
DMG964030R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG964H30R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG9933USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO | Έρευνα |
|
DMG964060R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
 |
DMG9N65CTI | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB | Έρευνα |
|
DMG9640M0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG964050R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
 |
DMG9N65CT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB | Έρευνα |
|
DMG9640N0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
|
DMG964010R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Έρευνα |
 |
DMG9926UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 | Έρευνα |
|
DMG963HC0R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | Έρευνα |