Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-DDTC114ELP-7 |
---|---|
Κατάσταση | Original New |
Προέλευση χώρας | Contact us |
Κορυφαία σήμανση | email us |
Αντικατάσταση | See datasheet |
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 70mA |
transistor Τύπος: | NPN - Pre-Biased |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Σειρά: | - |
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 10 kOhms |
Αντίσταση - Βάση (R1): | 10 kOhms |
Ισχύς - Max: | 250mW |
Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
Συσκευασία / υπόθεση: | 3-UFDFN |
Αλλα ονόματα: | DDTC114ELP-7DICT DDTC114ELP7 DDTC114ELPDICT DDTC114ELPDICT-ND |
τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Συχνότητα - Μετάβαση: | 250MHz |
Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 1µA |
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
Αριθμός μέρους βάσης: | DDTC114 |
Email: | [email protected] |