BSM180D12P2C101
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BSM180D12P2C101
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 78200 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.BSM180D12P2C101.pdf2.BSM180D12P2C101.pdf3.BSM180D12P2C101.pdf
Εισαγωγή
We can supply BSM180D12P2C101, use the request quote form to request BSM180D12P2C101 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BSM180D12P2C101.The price and lead time for BSM180D12P2C101 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BSM180D12P2C101.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-BSM180D12P2C101 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 35.2mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | Module |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Ισχύς - Max: | 1130W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Module |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | - |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Silicon Carbide (SiC) |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 204A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BSM180D12P2C101
Latest Ειδήσεις
- Η ADI συνεργάζεται με την BMW Group για να ξεκινήσει την κορυφαία τεχνολογία Ethernet Car της βιομηχανίας, ανοίγοντας ένα νέο κεφάλαιο στον ορισμό λογισμικού Automobiles
- Ο Vishay εγκαινιάζει το ποτενσιόμετρο του κουμπιού, απλοποιώντας τον σχεδιασμό και τη βελτιστοποίηση της βιομηχανικής και ηχητικής εφαρμογής
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού