BLF8G24LS-200P,118 - Διανομέας Ampleon

BLF8G24LS-200P,118

Αριθμός εξαρτήματος:: BLF8G24LS-200P,118

Κατασκευαστής:: Ampleon

Περιγραφή:: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 63310 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: BLF8G24LS-200P,118.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply BLF8G24LS-200P,118, use the request quote form to request BLF8G24LS-200P,118 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLF8G24LS-200P,118.The price and lead time for BLF8G24LS-200P,118 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLF8G24LS-200P,118.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-BLF8G24LS-200P,118
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Test:	28V
Τάση - Ονομαστική:	65V
transistor Τύπος:	LDMOS (Dual), Common Source
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	SOT539B
Σειρά:	-
Ισχύς - εξόδου:	60W
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	SOT539B
Αλλα ονόματα:	934066303118
Θόρυβος Εικόνα:	-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:	17.2dB
Συχνότητα:	2.3GHz ~ 2.4GHz
Λεπτομερής περιγραφή:	RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539B
τρέχουσα Αξιολόγηση:	-
Τρέχουσες - Test:	1.74A
Αριθμός μέρους βάσης:	BLF8G24
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για BLF8G24LS-200P,118

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
BLF8G24LS-100VU	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G27LS-100V,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G27LS-100PU	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B	Έρευνα
BLF8G24LS-150VU	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G27LS-100PJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B	Έρευνα
BLF8G24LS-100GVJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	Έρευνα
BLF8G24LS-150VJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G24L-200P,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A	Έρευνα
BLF8G24LS-150GVQ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C	Έρευνα
BLF8G24LS-100VJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G24LS-200PNJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B	Έρευνα
BLF8G27LS-100GVQ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C	Έρευνα
BLF8G27LS-100GVJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C	Έρευνα
BLF8G24LS-200PNU	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B	Έρευνα
BLF8G27LS-100J	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	Έρευνα
BLF8G24LS-200P,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B	Έρευνα
BLF8G27LS-100V,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B	Έρευνα
BLF8G24LS-150GVJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C	Έρευνα
BLF8G27LS-100U	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	Έρευνα
BLF8G24LS-100GVQ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις