BLF6G20-180RN,112 - Διανομέας Ampleon

BLF6G20-180RN,112

Αριθμός εξαρτήματος:: BLF6G20-180RN,112

Κατασκευαστής:: Ampleon

Περιγραφή:: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 73064 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: BLF6G20-180RN,112.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply BLF6G20-180RN,112, use the request quote form to request BLF6G20-180RN,112 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLF6G20-180RN,112.The price and lead time for BLF6G20-180RN,112 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLF6G20-180RN,112.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-BLF6G20-180RN,112
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Test:	30V
Τάση - Ονομαστική:	65V
transistor Τύπος:	LDMOS
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	LDMOST
Σειρά:	-
Ισχύς - εξόδου:	40W
Συσκευασία:	Tray
Συσκευασία / υπόθεση:	SOT-502A
Αλλα ονόματα:	934062731112
Θόρυβος Εικόνα:	-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:	17.2dB
Συχνότητα:	1.93GHz ~ 1.99GHz
Λεπτομερής περιγραφή:	RF Mosfet LDMOS 30V 1.4A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.2dB 40W LDMOST
τρέχουσα Αξιολόγηση:	49A
Τρέχουσες - Test:	1.4A
Αριθμός μέρους βάσης:	BLF6G20
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G20-180RN,112

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
BLF6G20-75,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	Έρευνα
BLF6G15LS-500H,112	Ampleon	RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B	Έρευνα
BLF6G20LS-110,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G15LS-250PBRN:	Ampleon	RF FET 65V 18.5DB SOT1110B	Έρευνα
BLF6G20-230P	NXP Semiconductors / Freescale	IC BASESTATION FINAL SOT502A	Έρευνα
BLF6G20-110,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	Έρευνα
BLF6G20-45,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	Έρευνα
BLF6G20LS-110,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G15L-250PBRN:1	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A	Έρευνα
BLF6G20-45,135	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A	Έρευνα
BLF6G15LS-40RN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT1135B	Έρευνα
BLF6G20-40,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A	Έρευνα
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G20LS-140,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G15LS-250PBRN,	Ampleon	RF FET 65V 18.5DB SOT1110B	Έρευνα
BLF6G15L-40BRN,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G15L-40BRN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G20-180PN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G15L-500H,112	Ampleon	RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις