BLF6G10LS-160RN:11 - Διανομέας Ampleon

BLF6G10LS-160RN:11

Αριθμός εξαρτήματος:: BLF6G10LS-160RN:11

Κατασκευαστής:: Ampleon

Περιγραφή:: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 74724 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: BLF6G10LS-160RN:11.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply BLF6G10LS-160RN:11, use the request quote form to request BLF6G10LS-160RN:11 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLF6G10LS-160RN:11.The price and lead time for BLF6G10LS-160RN:11 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLF6G10LS-160RN:11.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-BLF6G10LS-160RN:11
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Test:	32V
Τάση - Ονομαστική:	65V
transistor Τύπος:	LDMOS
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	SOT502B
Σειρά:	-
Ισχύς - εξόδου:	32W
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	SOT-502B
Αλλα ονόματα:	934063282118
Θόρυβος Εικόνα:	-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:	22.5dB
Συχνότητα:	922.5MHz ~ 957.5MHz
Λεπτομερής περιγραφή:	RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W SOT502B
τρέχουσα Αξιολόγηση:	39A
Τρέχουσες - Test:	1.2A
Αριθμός μέρους βάσης:	BLF6G10
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G10LS-160RN:11

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
BLF6G10L-40BRN,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G10LS-135R,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-200,118	NXP Semiconductors / Freescale	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-260PRN:1	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B	Έρευνα
BLF6G10L-260PRN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G10LS-135RN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10L-40BRN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G10LS-135R,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-260PRN,1	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B	Έρευνα
BLF6G10LS-160,118	Ampleon	RF FET LDMOS SOT502B	Έρευνα
BLF6G10S-45K,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B	Έρευνα
BLF6G10S-45,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B	Έρευνα
BLF6G10LS-200R,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-200,112	NXP Semiconductors / Freescale	FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-200RN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-160,112	Ampleon	RF FET LDMOS SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-200R,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-160RN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-135RN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-200RN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις