Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - ενότητες > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
Αριθμός εξαρτήματος:
APT47GA60JD40
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
49990 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT47GA60JD40.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT47GA60JD40, use the request quote form to request APT47GA60JD40 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT47GA60JD40.The price and lead time for APT47GA60JD40 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT47GA60JD40.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT47GA60JD40
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):87A
Τάσης - Ανάλυση:ISOTOP®
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:PT
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:600V
Σειρά:POWER MOS 8™
Ισχύς - Max:283W
Πόλωση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC θερμίστορ:Standard
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:APT47GA60JD40
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce:2.5V @ 15V, 47A
Εισαγωγή:6.32nF @ 25V
Διευρυμένη περιγραφή:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
Περιγραφή:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:275µA
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):No
Επικοινωνία Finish:Single
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT47GA60JD40

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Έρευνα
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Έρευνα
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Έρευνα
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Έρευνα
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Έρευνα
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Έρευνα
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Έρευνα
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Έρευνα
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Έρευνα
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Έρευνα
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Έρευνα
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις