Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - ενότητες > APT45GP120J
APT45GP120J
APT45GP120J
Αριθμός εξαρτήματος:
APT45GP120J
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
50543 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT45GP120J.pdf2.APT45GP120J.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT45GP120J, use the request quote form to request APT45GP120J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT45GP120J.The price and lead time for APT45GP120J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT45GP120J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT45GP120J
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 45A
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:ISOTOP®
Σειρά:POWER MOS 7®
Ισχύς - Max:329W
Συσκευασία / υπόθεση:ISOTOP
Αλλα ονόματα:APT45GP120JMI
APT45GP120JMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC θερμίστορ:No
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:23 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce:3.94nF @ 25V
Εισαγωγή:Standard
IGBT Τύπος:PT
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500µA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):75A
Διαμόρφωση:Single
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT45GP120J

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 Έρευνα
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX Έρευνα
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Έρευνα
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX Έρευνα
APT44GA60B Image APT44GA60B Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 Έρευνα
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Έρευνα
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Έρευνα
APT44F80L Image APT44F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Έρευνα
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Έρευνα
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 Έρευνα
APT43GA90BD30 Image APT43GA90BD30 Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO247 Έρευνα
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Έρευνα
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX Έρευνα
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Έρευνα
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Έρευνα
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα

Latest Ειδήσεις