74LVC1G08SE-7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74LVC1G08SE-7
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 1CH 2-INP SOT353
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 62792 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74LVC1G08SE-7.pdf
Εισαγωγή
We can supply 74LVC1G08SE-7, use the request quote form to request 74LVC1G08SE-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 74LVC1G08SE-7.The price and lead time for 74LVC1G08SE-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 74LVC1G08SE-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-74LVC1G08SE-7 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-353 |
| Σειρά: | 74LVC |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Αλλα ονόματα: | 74LVC1G08SE-7DITR 74LVC1G08SE7 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 1.7ns @ 5V, 50pF |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| Logic Level - Υψηλή: | 1.7 V ~ 2 V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 1 Channel SOT-353 |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 200µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 32mA, 32mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74LVC1G08 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74LVC1G08SE-7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74LVC1G08GX,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 4DFN | Έρευνα |
|
74LVC1G10GM,115 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74LVC1G08GS,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74LVC1G10FW4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6 | Έρευνα |
 |
74LVC1G08GW,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74LVC1G08GW-Q100,1 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
 |
74LVC1G10DW-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 1CH 3-INP SOT363 | Έρευνα |
 |
74LVC1G10DBVRG4 | Luminary Micro / Texas Instruments | IC GATE NAND 1CH 3-INP SOT23-6 | Έρευνα |
|
74LVC1G10GF,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74LVC1G10FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1410-6 | Έρευνα |
|
74LVC1G08GW,165 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74LVC1G10GN,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74LVC1G08W5-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT25 | Έρευνα |
 |
74LVC1G08GV-Q100,1 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74LVC1G08GV,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74LVC1G08GN,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74LVC1G10GM,132 | Nexperia | IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74LVC1G08GW/DG,125 | NXP Semiconductors / Freescale | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
 |
74LVC1G08Z-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT553 | Έρευνα |
|
74LVC1G08GM,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map