2N5551ZL1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 2N5551ZL1G
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 42529 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 2N5551ZL1G.pdf
Εισαγωγή
We can supply 2N5551ZL1G, use the request quote form to request 2N5551ZL1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N5551ZL1G.The price and lead time for 2N5551ZL1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N5551ZL1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-2N5551ZL1G |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 160V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-92-3 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 625mW |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 300MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 50nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 600mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 2N5551ZL1G
Latest Ειδήσεις
- Ο Onsemi ξεκίνησε την πρώτη συσκευασία διοδίων στον κόσμο 650 V silicon carbide mosfet
- Το κιτ ανάπτυξης κινητήρα ON Semiconductor επικεντρώνεται πρώτα στην ενεργειακή απόδοση
- Η πλατφόρμα άμεσης ώρας πτήσης (dToF) ON Semiconductor's silom photomultiplier (SiPM) παρέχει έτοιμα σχέδια για βιομηχανικές εφαρμογές
- Η ON Semiconductor και η Theta Power Systems International καθιερώνουν συνεργασία για εφαρμογές ελέγχου κινητήρα
- Η ON Semiconductor διορίζει τον Hassane El-Khoury ως διάδοχο CEO (CEO)