Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - ενιαία > 2N3501
2N3501
2N3501
Αριθμός εξαρτήματος:
2N3501
Κατασκευαστής:
Central Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
35978 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
2N3501.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply 2N3501, use the request quote form to request 2N3501 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N3501.The price and lead time for 2N3501 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N3501.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-2N3501
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):150V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 15mA, 150mA
transistor Τύπος:NPN
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-39
Σειρά:-
Ισχύς - Max:1W
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Αλλα ονόματα:2N3501 LEAD FREE
2N3501 PBFREE
2N3501CS
Θερμοκρασία λειτουργίας:-65°C ~ 200°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:16 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:150MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 150MHz 1W Through Hole TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):50nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):300mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 2N3501

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
2N3498 Microsemi TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 Έρευνα
2N3501UB Image 2N3501UB Microsemi TRANS NPN 150V 0.3A Έρευνα
2N3506L Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3500L Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3506AL Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3498L Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3507AL Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3506A Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3486A Microsemi TRANS PNP 60V 0.6A TO-46 Έρευνα
2N3500 Image 2N3500 Microsemi TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Έρευνα
2N3485A Microsemi TRANS PNP 60V 0.6A Έρευνα
2N3507 Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3499L Microsemi TRANS NPN 100V 0.5A TO5 Έρευνα
2N3486 Microsemi TRANS PNP 60V 0.6A Έρευνα
2N3507U4 Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3507AU4 Microsemi NPN TRANSISTOR Έρευνα
2N3499 Microsemi TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 Έρευνα
2N3501L Image 2N3501L Microsemi TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 Έρευνα
2N3507L Microsemi NPN POWER SILICON TRANSISTORS Έρευνα
2N3501 Image 2N3501 Microsemi TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Έρευνα

Latest Ειδήσεις