Numéro de pièce interne | RO-XP0121600L |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | SMini5-G1 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | - |
Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 150mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Autres noms: | XP0121600LCT XP1216CT XP1216CT-ND |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 150MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini5-G1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |