Numéro de pièce interne | RO-UNR521F00L |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | SMini3-G1 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 150mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | SC-70, SOT-323 |
Autres noms: | UN521F UN521FCT UN521FCT-ND UNR521F00LCT |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 150MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |