UNR32A1G0L
UNR32A1G0L
Modèle de produit:
UNR32A1G0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
36344 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
UNR32A1G0L.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-UNR32A1G0L
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SSSMini3-F1
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SOT-723
Autres noms:UNR32A1G0LCT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):80mA
Email:[email protected]

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