TPCF8B01(TE85L,F,M
- Modèle de produit:
- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 52289 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPCF8B01(TE85L,F,M |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 470pF @ 10V |
| Tension - Ventilation: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | U-MOSIII |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7A (Ta) |
| Polarisation: | 8-SMD, Flat Lead |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 200µA |
| Fonction FET: | P-Channel |
| Description élargie: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Tension drain-source (Vdss): | Schottky Diode (Isolated) |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Ratio de capacité: | 330mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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