TPCC8093,L1Q
- Modèle de produit:
- TPCC8093,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 56157 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPCC8093,L1Q.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPCC8093,L1Q |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries: | U-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.9W (Ta), 30W (Tc) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPCC8093L1Q |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1860pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 21A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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