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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STL80N75F6
STL80N75F6
STL80N75F6
Modèle de produit:
STL80N75F6
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
59650 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
STL80N75F6.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-STL80N75F6
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (5x6)
Séries:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max):80W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:497-12981-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7120pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):75V
Description détaillée:N-Channel 75V 80A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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