SSM6J503NU,LF(T
- Modèle de produit:
- SSM6J503NU,LF(T
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 45491 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM6J503NU,LF(T.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SSM6J503NU,LF(T |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-UDFNB (2x2) |
| Séries: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | SSM6J503NULF(TDKR SSM6J503NULFDKR SSM6J503NULFDKR-ND |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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