SSM3K318R,LF
SSM3K318R,LF
Modèle de produit:
SSM3K318R,LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
83740 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
SSM3K318R,LF.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-SSM3K318R,LF
État Original New
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Remplacement See datasheet
Tension - Test:235pF @ 30V
Tension - Ventilation:SOT-23F
Vgs (th) (Max) @ Id:107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:U-MOSIV
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5A (Ta)
Polarisation:SOT-23-3 Flat Leads
Autres noms:SSM3K318R,LF(B
SSM3K318R,LF(T
SSM3K318RLF
SSM3K318RLFTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:SSM3K318R,LF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.8V @ 1mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60V
Ratio de capacité:1W (Ta)
Email:[email protected]

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