SIA431DJ-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SIA431DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 64338 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIA431DJ-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SIA431DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 1700pF @ 10V |
| Tension - Ventilation: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 1.5V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | TrenchFET® |
| État RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polarisation: | PowerPAK® SC-70-6 |
| Autres noms: | SIA431DJ-T1-GE3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Référence fabricant: | SIA431DJ-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 60nC @ 8V |
| type de IGBT: | ±8V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 850mV @ 250µA |
| Fonction FET: | P-Channel |
| Description élargie: | P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Ratio de capacité: | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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