SF34GHB0G
- Modèle de produit:
- SF34GHB0G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 47436 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SF34GHB0G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SF34GHB0G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 950mV @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 200V |
| Package composant fournisseur: | DO-201AD |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 35ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | DO-201AD, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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